先进封装和传统封装的最大不同，在于芯片与外部体系的电衔接方法 —— 传统封装靠细引线衔接，像接 “电线” 相同速度慢，而先进封装直接省去引线，改用传输更快的凸块或中间层；先进封装有四个中心要素，分别是如下：

  只需一款封装具有这四个要素中的恣意一个，就能被称作先进封装，且各要素分工明晰。

  其实便是在芯片上做的金属小凸起，中心作用是给芯片供给电气互连的 “点” 接口 —— 简略说，便是帮芯片搭好和外部衔接的 “接触点”，让电信号能顺利传递。

  它在 FC、WLP 这些先进封装里用得特别广。通过多年开展，做凸块的金属原料首要有金、铜、铜镍金、锡这几种，不同的金属原料，对应适配不同芯片的封装需求。

  实质是把芯片 “翻个面” 扣在基板上 —— 它不必传统的引线，而是靠焊球或凸块把翻过来的芯片和外部体系连起来，这样封装能做得更紧凑。

  详细流程很明晰：先在芯片的 I/O 触点（I/O pad）上做出锡铅小球，接着把芯片翻转过来加热，让消融的锡铅球直接和陶瓷基板粘在一同，就能完结衔接。现在这种八怪七喇首要用在 CPU、GPU、芯片组上，像咱们常用的 CPU、内存条这类电子科技类产品，大多都用了倒装芯片八怪七喇。

  和传统的引线键合比，FC 有显着优势：传统是用细引线连芯片和外部，而 FC 的芯片结构、I/O 端（便是那些锡球）都是朝下的；并且 FC 的 I/O 引出端能散布在整个芯片外表，不像传统只在边际，所以它的封装密度更高、处理速度也更快。更要害的是，它还能选用相似 SMT（外表贴装八怪七喇，平常贴电子元件的惯例手法）的方法加工，工艺上更灵敏。

  和传统封装流程相反：传统是先切芯片再封装，WLP 是芯片还在晶圆上时先全体封装 —— 贴好保护层、连好电路后，再把晶圆切成单个芯片，像先给蛋糕胚裹糖霜再切块。

  WLP 分两种：扇入型是把导线和锡球固定在晶圆顶部芯片区；扇出型是把芯片重排成模塑晶圆。二者中心区别是扇出型引脚更多、刚好更大：批量生产时，扇入型因工艺简略更经济；需多引脚或杂乱设计时，选扇出型更适宜。

  现在 WLP 大范围的运用在存储类（闪速存储器、DRAM 等）、功用类（LCD 驱动器、射频器材等）、模仿类（稳压器、温度传感器等）器材。

  RDL 是在晶圆外表堆积金属层与介质层，做出金属布线，将芯片 IO 端口从原方位重排到更宽松的区域，构成面阵列。芯片 IO 通常在边缘，适配传统引线键合但不合适倒装八怪七喇，RDL 由此处理接口匹配问题。封装中它能重新分配电路，衔接基板引脚或组件，完成杂乱衔接、提高功能并缩小封装面积。

  2.5D 封装：将电路网络分配到不同方位，衔接硅基板上下方的凸块（Bump）。

  实质便是在芯片内部做的 “笔直金属线”—— 它能穿透硅片，直接把芯片顶部和底部连起来，中心作用是让不同芯片层级之间的电信号能笔直传递，不必再绕到旁边面。类比来看，就像在大楼里装了笔直电线，让楼上楼下的电路直接连通，不必走楼道里的水平线路。

  2.5D TSV：得靠中介层（Interposer）才干完成衔接，适当于需求一块 “转接板” 来搭桥。最典型的运用便是台积电的 CoWos 封装八怪七喇，许多高端芯片都用这种计划。

  3D TSV：不必中介层，芯片层级能直接笔直衔接，更简练。像 SK 海力士、三星做的 HBM（高带宽内存），便是 3D TSV 的典型运用，能让内存和芯片的信号传递更快。

  传统封装和先进封装的设备有不少重合，减薄机、划片机、固晶机、键合机、塑封机这些都是两者的标配。

  但先进封装对这些设备的要求更高，比方要能研磨出更薄的晶圆，键合不再用传统的引线结构，塑封机也转向了压塑的方法。

  2023 年，后道封装设备在整个半导体设备的价值占比里约为 5%，其中固晶机、划片机、键合机是这一范畴的中心设备。

  到 2025 年，全球半导体封装设备的商场规模大概率能到达 417 亿元；详细看设备占比，固晶机（也叫贴片机）占 30%，划片机（也叫切片机）占 28%，键合机占 23%，这三类中心设备的占比加起来超越多半。

  AI 器材小型化推动芯片封装变薄、晶圆超薄化，对减薄机要求显着提高。传统工艺仅能处理 150μm 以上晶圆，而当时先进封装（如存储器 96 层叠封）需芯片厚度降至 100μm 以下乃至 30μm，这类芯片刚性差、易受损，还需满意 TTV＜1μm、外表粗糙度 Rz＜0.01μm 的要求，加工难度大增。

  商场方面，2024 年我国进口研磨机金额 3.8 亿美元，2017-2024 年 CAGR 13%；全球减薄设备由日本企业主导，CR3 达 84%，DISCO 比例最高。设备端，日本 DISCO、东京精细单台减薄机约 1200 万人民币且全自动化；国内厂商少（如郑州第三研磨所、华海清科等），国产设备价格适当，单台年产能约 6 万片，详细与实践研磨量相关。

  划片机首要分砂轮切、激光切，当时砂轮切是干流。激光与刀轮切片机并非竞赛纠葛，反而能彼此带动销量 —— 两者销量均随时刻上升，激光切片机销售额占比从开始 5% 升至 2024 年约 36%，首要补偿刀轮机单薄范畴。

  设备端，DISCO 刀轮切片机单台约 1500 万人民币，激光切片机约 1000 万人民币（因体积小、精度要求低更廉价）；单台刀轮切片机每月截然有异 12 寸晶圆产能约 1 万片。

  封装方式演化推动键合八怪七喇寻求更小互联间隔与更快传输速度，八怪七喇从引线结构开展至倒装（FC）、混合键合等，混合键合精度提高至 10k+/mm²、0.5-0.1um，能量 / Bit 缩至 0.05pJ/Bit。

  电镀机是将电镀液中金属离子镀到晶圆标明发生金属互连的设备，芯片工艺晋级后互连线从铝转铜，镀铜设备大范围的运用，虽也镀锡、镍等，但铜堆积仍主导，且铜能降功耗本钱、提芯片功能。

  传统封装中电镀机首要给封装特定部位镀金属，先进封装的凸块、RDL、TSV 等需镀铜，设备获益；前道需在晶圆镀细密无缺点的铜，后道硅通孔等工艺也用电镀镀铜、镍等。

  PVD&CVD 等薄膜堆积设备用于先进封装的 UBM、RDL（运用次数随层数改变）、TSV（电镀前需堆积种子层）制造，估计 2025 年中国大陆该设备商场空间达 800 亿元，2022 年 PVD 设备 AMAT 占 86%、我国北方华创占 5%，CVD 设备 AMAT 占 28%、Lam 占 24%，我国拓荆科技等正推动国产打破。

  先进封装中 TSV 需刻蚀打孔、RDL 需刻蚀去除剩余 UBM，刻蚀设备运用广泛；估计 2025 年中国大陆刻蚀设备商场空间超 760 亿元，全球龙头为 LAM（2023 年占 46.7%）、TEL（26.6%）、AMAT（17.0%），国内里微公司（CCP 抢先，占 1.4%）和北方华创（ICP 抢先，占 0.9%）体现杰出。